制造流程
MOCVD 外延生长
MOCVD
金属有机化学气相沉积（MOCVD，Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是一种关键的半导体薄膜制备技术。其基本原理是利用气相中的金属有机化合物与其他反应气体，在高温条件下与基板表面发生化学反应，从而沉积出高质量的晶体薄膜。该技术广泛应用于制造发光二极管（LED）、激光二极管、高速晶体管和太阳能电池等光电元件。
E-Beam Writer
E-beam Writer 是利用可精准控制的聚焦电子束，将预先设计的图案直接写入涂有电子阻剂的晶片表面，然后通过刻蚀或沉积工艺，将设计的图案转印到晶片上，广泛应用于半导体激光与微纳米加工领域。
晶圆制造
光刻（黄光曝光）- Stepper（4"）
通过高精度的光学系统和步进式机制，在晶圆上进行精确移动，从而实现更精准的紫外光曝光效果。
薄膜 - 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
通过电浆将反应气体解离，并促使其发生化学反应，最终在晶圆表面沉积形成薄膜。
化学 - 自动蚀刻
将晶圆放入含有酸、碱或有机溶液的槽中，通过化学腐蚀的方式进行加工处理。
炉管 - 垂直式炉管
将晶圆放置在直立的石英管内，通过控制温度和水汽输送到炉管中的样品，进行氧化处理。
研磨 - 晶圆减薄
通过研磨方式对晶圆背面进行处理，降低晶圆的厚度。
晶粒测试
检测晶圆（wafer）上每个芯片（chip），根据光电特性对晶粒进行等级分类。
切割
利用刀轮或激光束，将晶圆（Wafer）切割成单个的每一个芯片（chip）。
排列
根据晶粒测试数据，将芯片（Chip）进行分类和挑选。
封装 TO
上片
通过图像识别系统，机械手臂精准地将芯片（Chip）粘贴到基座（Substrate）的指定位置上。
打线
通过热、压力和超声波技术，将金线连接芯片（Chip）上的接点与外部引脚，从而将内部芯片电路的信号传输到外部。
封盖
通过电阻焊接原理，将金属盖与基座连接，使组件完全密封，防止气体或液体进入内部。
元件测试
对组件进行光学性能、电气性能或环境等方面的测试。
封装 COB（Chip-On-Board）
上片
通过图像识别系统，机械手臂精准地将芯片（Chip）和集成电路（IC）粘贴到电路板（PCBA）的指定位置上。
打线
通过热、压力和超声波技术，将金线连接芯片（Chip）和集成电路（IC）上的接点至电路板上。
激光切割
利用激光光束，将完成COB（Chip-On-Board）封装的电路板（PCBA）切割成单独的每个光电模块（OE Module）。
测试
使用标准光源与光电模块连接并供电，测试其性能是否符合规格要求。
次模块组装 OSA
耦光
自动搜索组件的光响应最佳位置后，使用紫外线（UV）固化胶将组件与光纤接头临时固定。
元件测试
提供组件光或电，检测产品是否符合规格，以筛选出合格品并剔除不良品。
上胶
使用粘接剂，将组件与光纤接头永久固定。
焊接
使用烙铁加热焊锡，将组件焊接到指定的电路板或连接排线上。
